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Samsung 990 SSD レビュー: 高価な時代のための価値のあるGen4 SSD

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中国 Beijing Qianxing Jietong Technology Co., Ltd. 認証
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Samsung 990 SSD レビュー: 高価な時代のための価値のあるGen4 SSD

July 17, 2026
消費者のPCIe 4.0のSSDは 電力効率とコストを 最大のスループットよりも優先します990 PROよりも 38% 高い効率を誇っています仕様は,1TBのバージョンでは7,150MB/sの連続読み込み/6,450MB/sの書き込みと,2TBモデルでは7,250MB/sの読み込み/6,450MB/sの書き込みで,ランダムなパフォーマンスは700K/1.1M IOPS (1TB) と850K/1に達する.2M IOPS (2TB)1TB ($269.99) と 2TB ($529.99) のSKUで発売されている.

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PRO,EVO,EVO Plusモデルと並んで,Samsungの既存の990ファミリー内に座っているこのエントリーレベルのドライブは,指定されていないV-NANDとDRAMの少ないHMBアーキテクチャとペアされた内部コントローラを使用しています..400TBW (1TB) / 800TBW (2TB) の3年間の保証が付与されており,990 PROの5年間のカバーとより高い耐久性制限があります.990 EVO Plus に一致するが PRO に欠けている.主要なセールスポイントは,990 EVOよりも50%高速な連続書き込みと,2TBバージョンのワットあたり1,686MB/sの読み込み効率である.サムスンは,最高レベルの原始速度を追求する購入者向けに,Gen5 9100 PROラインナップを予約しています.990は別の価値セグメントを対象としています

2021年より発売された以前のDRAMのない980 SSDは,性能が薄かったが,緊密なNANDとDRAMのサプライチェーンにより,市場需要は電力効率の良い手頃な価格のPCIe 4.0ストレージに転換した.サムスンは詳細なNAND仕様を明らかにすることを拒否990 PROと年間書き込み耐久性を一致させると,QLCではなくコスト最適化された TLCフラッシュが強く示されます.ハードウェアのコア仕様に関する意図的な曖昧さは珍しいことですがテストでは,FIO,LLMロード,GPU Direct Storageのベンチマーク経由でファームウェア0B2QLXL7を搭載した2TBMZ-V9V2T0のプリプロダクションサンプルを使用した.

基本仕様

形式は標準単面型M.2 2280で,包装式ヒートシンクなしで,マザーボード冷却に依存する薄型ノートPCやコンパクトPCに最適です.PCBは,コネクタの近くにあるコントローラと,片側にあるすべてのNANDチップをホストする,DRAMの表示がない.Samsung Magician 9.0はファームウェア更新,健康追跡,診断およびAES 256-bit暗号化に対応する.HMB操作には手動設定が不要である.アクティブ読み込み電源は4.0W (1TB) /4.3W (2TB),アクティブ書き込み電力3.7W / 3.8W,低電力状態では無作動消費量は55mWまたは3mWに低下する.MTBFは150万時間と評価されており,TCG Opal 2.0のセキュリティサポートがあります.

ベンチマークの結果

合成 FIO 性能

2TB 990は,連続読み込み7,177MB/s,連続書き込み6,070MB/s,ランダム読み込みIOPS872K,ランダム書き込みIOPS1.08Mに達し,テストされたすべてのPCIe 4/5ドライブの底辺にランクインしました.連続読み取りの4%を失います990 PROには 15.7%の連続書き込み, 37.7%のランダム読み込み, 23%のランダム書き込みのスループットがあり,サンディスク SN8100などの旗艦ジェン5代替品にほぼ半分遅れています.

LLMロードテスト

AIモデルの読み込みは,ドライブの最も弱いワークロードである.DeepSeek R1 7Bでは5.06s,Llama 3.2 11B Visionでは7.61s,DeepSeek R1 32Bでは7.86sを記録した.トップレベルのGen5 SSDのほぼ2倍遅い.990 PROはほぼ同じ性能でPRO にアップグレードすると,LLM の読み込み速度が最小限に向上し,ランダム IO と持続的な書き込みはわずかな改善しか得られない.

GPU ダイレクトストレージ (GDS)

スレッド数でスループットスケールを読み取ります. 1Mブロックサイズは64スレッドで2.89 GiB/sでピークに達しますが,16K小ブロックのI/Oはわずか0で上限に達します.オーバーヘッドによる並行で崩壊する前の82 GiB/s遅延は,より多くのスレッドで急激に増加し,1Mブロックで128スレッドで44.7msまで増加します.書き込みでは,大きな1Mブロックは8スレッドで3.89Gb/sでピークに達します.128Kと16Kの書き込みスループットは,並行性に関係なく均等である.ブロックサイズ全体で読み込み遅延よりも書き込み遅延が急上昇する.

結論

サムスン990はベンチマークをリードする性能には作られていない. 合成テストでは一貫して990 PROを落とし,LLM負荷ランキングの最下位にランクインしている.重労働の最大出力を求める人は,代わりにSamsungのGen5 9100 PROを選択してください..

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それでも このドライブは エネルギー効率と価値に焦点を当てた 主流のニッチを 満たしています古い990EVOよりも50%高速なシーケンス書き込みを可能にし,エネルギー効率が劇的に向上したEVO Plusの読み込み速度に匹敵します耐久度データによると TLCのフラッシュは 信頼性がある

Gen5速度や PROの高ランダムIOを必要としないユーザーに適しており,古いEVOモデルからのアップグレードとして安定した低消費量のPCIe 4.0ストレージを求めています.PROは意味のあるAI推論の負荷の利点を提供していないので現在MSRPは,制限されたメモリ市場価格を反映しています.市場価格の変動によって決まるでしょう性能を優先するビルドには適していないが 990は効率を重視した役割に適している.

北京・チアンシン・ジテング・テクノロジー株式会社
サンディ・ヤン/グローバル戦略ディレクター
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