Japanese
E3.S 形状因子でより高い密度を達成する難しさは,いくつかの主要な課題に縮小されます:
- 物理 的 な 空間 の 制約: E3.Sの形状因子は,従来の2.5インチドライブと比較して,よりよい空気流と熱管理のために最適化されています.E3.Sの内部空間は限られています.熱管理や性能を犠牲にすることなく,より多くのNANDフラッシュパッケージと必要な制御回路をフィットすることが困難になります..
- 熱管理: 高密度SSDは,より多くの熱を発生し,コンパクトな形状で散布を困難にします.効率的な熱散は,パフォーマンスを維持し,絞め込みを避けるために重要です.熱溶液と密度をバランスするのは 大きな課題です.
- 電力消費量容量が増加するにつれて,電力の需要も増加します.E3の設計.データセンターのラックにとって受け入れられる電力と冷却の限界内にとどまっていながら,高い容量をサポートできるSドライブは複雑である可能性があります.
E3.Sドライブは容量と薄いボディで注目されるが,MicronはE1.LおよびU.2ドライブを提供しています.これらの形態要因はMicronのアドレス可能な市場を大幅に拡大します.U とより伝統的な企業サーバーのサービスE1.L の.2 ベイとハイパースケーラー.すべてのドライブは,Micron DRAM,NAND,コントローラ,および社内のファームウェアスタックで垂直に統合された設計を備えています.
マイクロン 6550 ION SSD 仕様
| 特徴 | 詳細 |
| テクノロジー | マイクロン G8 TLC NAND PCIe Gen5 1×4 NVMe |
| 形状要因 | E3.S-1T (7.5mm),U.2 (15mm),E1.L (9.5mm) |
| 容量 | 30.72TB ¥ 61.44TB (すべてのSKUの性能仕様が同じ) |
| 128K シーグ レッド QD128 | 12,000 MB/s |
| 128K Seq 書き込み QD128 | 5,000 MB/s |
| 4Kランダムリーディング QD512 | 1,600,000 IOPS |
| 4Kランダムライティング QD128 | 70,000 IOPS |
| 耐久性 (保証期間は5年) |
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| パワー |
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| 信頼性
(UBER = 修正できないビットエラー率) |
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| 特徴 |
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| 保証 | 5年 |
マイクロン 6550 ION 合成性能検証
ストレージリビューラボのMicron 6550 IONを使って U.2バージョンのドライブを Dell PowerEdge R760 テストプラットフォームの内部でテストしました,QLCベースの Solidigm P5336 61.44TB SSDと共に 検証できました この容量点では 広く販売されている唯一の SSDです
マイクロン6550IONで実行した性能検証とともに マイクロン6550IONで消費される電力を制限するための電源状態をテストしましたすべてのNVMeデバイスは無制限で動作できます (最大25Wの電力を消費します)NVMe SSDは,消費電力を節約するためにピーク使用量を低下させることをサポートする.消費電力を削減することは,一部のドライブの性能に大きく影響する可能性があります.しかし,Micron 6550 IONは,消費電力を減らすために最適化されています.低電力範囲内でデータセンターのパフォーマンスを提供する.
性能テストを始める前に,Micron 6550 IONをPS1モードに置き,Solidigm P5335をPS0モードまたは制限なしに置きました.Micron 6550 IONは8つの電源状態 (PS0からPS7) をサポートします.最低端では25Wから10WまでPS1ではこのSSDの最大消費電力を20Wに設定する.比較すると,Solidigm P5336は5〜10Wの増幅で25Wから10Wまでの3つの電源状態 (PS0からPS2) をサポートする.
各SSDは128Kの 順序的なプレコンディションワークロードを経て 性能比較を行いました プレコンディションが終わるとドライブは,予備状態で 128K の連続読み書き性能にテストされました作業量は2つのドライブで 16Kのランダムな前提条件に切り替わり,残りの 16Kの読み書きテストが完了しました.
| ブロックサイズ | オペレーション | パワー状態 PS1 の マイクロン平均電力の抽出 | FIO ワークロードスレッド/キュー | 期待されるミクロン6550ION性能 | 測定されたミクロン6550ION性能 | 測定した固体体 P5336 性能 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 16KB | ランダム読み込み | 17.9W | 8T/256Q | > 700k IOP > 11.2 GB/s |
11.6GB/s 707k IOP |
7.4GB/s 454k IOP |
| 16KB | ランダムで書く | 17.5W | 2T/1Q | > 70k IOP > 1.1 GB/s |
1.4GB/s 85.4k IOP |
850MB/s 51.9k IOP |
| 128KB | 連続読み込み | 17.5W | 1T/64Q | > 12 GB/s | 12.7GB/s | 7.5GB/s |
| 128KB | 連続書き込み | 17.5W | 1T/16Q | > 5 GB/s | 8.2GB/s | 3.2GB/s |
実験室のミクロン6550IONは 引用されたミクロン6550IONの性能に準拠し,場合によってはミクロンのスペックシートを超えました
16Kのランダム読み込み作業では マイクロン6550 IONは Solidigm P5536の 7.4GB/s に比べて 11.6GB/s を維持しました電子機器は1つの.4GB/s,P5336から850MB/s以上. 128Kの連続読み込み作業量まで移動すると,Micron 6550 IONはSolidigm P5336から7.5GB/sと比較して12.7GB/sを測定した.128K の連続書き込みに切り替える,Micron 6550 IONはSolidigm P5336の3.2GB/sに対して8.2GB/sを測定した.
Solidigm P5336と比較すると,Micron 6550 IONの新しいGen5インターフェースがP5336のGen4インターフェースに優れている多くの領域を指摘しました.Gen4 と Gen4 の違い. Gen5ドライブは,各ドライブがワイヤーを介してどれだけの帯域幅を押し渡せるかに関係しています. Gen4 PCIeインターフェースは,接続の4レーンで,約7GB/sに対応しています.14GB/sで2倍になるマイクロンのTLC NANDの利用は,QLCベースの競合他社に比べてデザイン上の別の優位性を与えます.
マイクロン 6550 ION AI 作業負荷性能
高性能のサーバーと優れたエネルギー効率を要求することで 管理者に負担をかけていますマイクロンは6550IONをSolidigm P5336と対照的に配置し,4つの異なるワークロードを使用してその能力を展示しました: NVIDIA(R) Magnum IO(TM),Unet3Dトレーニングとキャプチャ,AIモデルチェックポイント.GPUDirect Storage (GDS) テストは,CPUメモリをバイパスし,データ移動オーバーヘッドとレイテンシーを削減することによって,ストレージとGPU間の直接データ転送を可能にします.
結論
サンディ・ヤン/グローバル戦略ディレクター
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